Intel ja Micron tuottivat nopeamman flash-muistin
Intel ja Micron Technology kehittivät omien sanojensa mukaan viisi kertaa nykyistä nopeamman nand flash -muistiteknologian, jolla voidaan päästä 200 megatavun sekuntinopeuksiin datan lukemisessa ja 100 megatavuun datan kirjoittamisessa.
Perinteiset muistit pystyvät lukemaan 40 megatavua ja kirjoittamaan 20 megatavua sekunnissa. Tuotettu kahdeksan gigan slc-muistisiru (single level cell) ennättänee massamarkkinoille vuoden jälkipuoliskolla.
Esimerkkinä tulevista sovelluksista, joissa nopea nand flash voi tulevaisuudessa hyödyttää kuluttajaa, ovat digitaaliset videokamerat ja tilattavat online-videot erityisesti, kun käsitellään teräväpiirtoista materiaalia.
Nand flash on myös enenevästi korvaamassa tietokoneiden pyöriviä kiintolevyjä. Äskettäin Imation toitotti tuovansa markkinoille toistaiseksi nopeimmat kuluttajille tarkoitetut solid state drive -levyt tietokoneisiin. Yhtiö puhui sadan megatavun lukunopeudesta ja 80 megatavun kirjoitusnopeudesta.
Intelin ja Micronin uusi teknologia perustuu onfi 2.0 -standardiin ja mahdollistaa uusien, korkean suorituskyvyn järjestelmärajapintoja (esim. PCIe ja tuleva USB 3.0) hyödyntävien ratkaisujen luomisen.
Gartnerin analyytikko Joe Unsworth kuitenkin huomauttaa eri uutislähteissä, että uusi muisti tulee maksamaan sen verran paljon, että vain ammattilaiset tai multimediaa tosissaan harrastavat ovat todennäköisiä hyötyjiä. Myöhemmin teknologia leviää tavallisiin mp3-soittimiin ja digikameroihin, mutta se voi viedä kauan.






























