Samsung mahduttaa lisää tietoa flashille
VTT
Sirun valmistus ei ala ihan heti.
Samsung julisti kehittäneensä entistä edistyneemmän flash-muistisirun, joka auttaa lisäämään esimerkiksi matkapuhelinten tai mediasoitinten tallennuskapasiteettia.
23.10.2007 13:01
2
64 gigabitin nand flash -muisti on valmistettu entistä tiheämmällä prosessilla käyttäen 30 nanometrin levyisiä piirielementtejä. Vertailun vuoksi ihmisen hiuksen paksuus on noin 80 000 nanometriä.
Yhtiön mukaan uusi muistisiru on avuksi työstettäessä 128 gigatavun muistikorttia, jolle mahtuisi jopa 80 dvd-tasoista elokuvaa, jotka kestäisivät yhteensä 120 tuntia.
Muistisirun valmistus alkanee vuonna 2009.
Kommentit (2)