ST nykäisee nand flash -muistien nopeudessa
Puolijohdevalmistaja STMicroelectronics paljasti tarkempia tietoja neljän gigabitin nand flash -muistipiiristään. Se päästää lävitseen 36 megatavua sekunnissa, mikä on yhtiön mukaan noin puolet enemmän kuin mihin maailmassa on tähän saakka parhaimmillaan päästy.
9.2.2006 12:59
0
Komponentti on määrä esitellä San Franciscossa pidettävässä Isscc-tapahtumassa (International Solid State Circuits Conference), ja esitelmän kirjoittajista löytyy sekä ST:n että Hynix Semiconductorin tutkijoita.
Piiriin on sulautettu virheenkorjausprosessori, joka pystyy havaitsemaan ja korjaamaan viisi virhettä muistisivua kohden. ST:n mukaan tämä varmistaa korkeat luotettavuus- ja nopeuslukemat samalla kun muistijärjestelmän rakenne yksinkertaistuu.
